特許
J-GLOBAL ID：200903097919243200
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288605
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135033
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】半導体基板の一部をアルカリ液を用いてエッチング除去して、微細な構造体、例えば半導体圧力センサ、加速度センサ等、を歩留良く形成する半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】半導体基板の一主面上に素子領域を形成する工程と、素子領域上にアルカリ金属イオンを阻止する膜を形成する工程と、更にアルカリ金属イオンを阻止する膜上に必要に応じてアルカリ液に侵されない膜を形成する工程と、半導体基板の一部をアルカリ液でエッチング除去する工程とを行い、その後、アルカリ液に侵されない膜およびアルカリ金属イオンを阻止する膜を除去する工程とを順次実施して、微細な構造を有する半導体機構部材を製造する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に素子領域を形成する工程と、素子領域上にアルカリ金属イオンを阻止する膜を形成する工程と、半導体基板の一部をアルカリ液でエッチング除去する工程と、アルカリ金属イオンを阻止する膜を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 B
, H01L 21/306 B
