特許
J-GLOBAL ID：200903097921705572
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277446
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132457
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、トランジスタ素子の搭載部をユニット化して、ユニット単位で検査でき、異厚材料を用いる必要のない半導体装置およびその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 肉厚部のトランジスタ搭載部1aと肉薄部のインナーリード1bとは別体で構成されている。このトランジスタ搭載部1aには、カシメ用のダボ8が設けられている。また、インナーリード1bには、ダボ8と係合する孔9が穿設されている。このトランジスタ搭載部1a上にトランジスタ素子2が搭載された後、孔9にダボ8を挿入してカシメて、トランジスタ素子搭載部1aとインナーリード1bとが接合一体化されている。
請求項（抜粋）：
ヒートシンク上にトランジスタ素子を搭載し、リードフレームのインナーリード上に前記トランジスタ素子を制御する集積回路素子および受動部品を搭載し、前記ヒートシンクの裏面が露出するように封止樹脂により一体樹脂成形された半導体装置において、前記ヒートシンクと前記インーリードとが接合部により一体化されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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