特許

J-GLOBAL ID：200903097922683696

スタンパの製造方法

発明者： 徳田 一成
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321196
公開番号（公開出願番号）：特開平5-131457
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：

【要約】【目的】 溝の深さにバラツキのない微細な凹凸パターンを有するスパンタを製造する。【構成】 SiO2 基板上にAu層を成膜する。Au層の上にTi層を成膜する。Au層の上にTi層を成膜する。Ti層の上にレジストパターンを形成する。レジストパターンをエッチングマスクしてTi層のみをAu層表面までウェットエッチングしてパターンを形成する。レジストパターンを除去した後、Ti層の表面にNiを電鋳してTi層のパターンを反転したNi電鋳層を形成する。Au層からSiO2 の基板を分離し、Au層を溶解除去する。そして、Ni電鋳層からTi層を溶解除去してNiからなるスパンタを得る。【効果】 Ti層に形成されるパターンの深さは、Ti層の膜厚で決定される。Ti層は均一な膜厚で成膜できるため、このパターンを反転して形成されるスタンパの微細な凹凸パターンの溝の深さにバラツキが生じない。

請求項（抜粋）：

基板上に第1層目の金属層を成膜し、次に第1層目の金属層上に第2層目の金属層を成膜した後、第2層目の金属層上にレジストを塗布し、このレジストを露光し現像処理してレジストパターンを形成し、次いでレジストパターンをエッチングマスクとして第2層目の金属層のみをエッチングした後、レジストパターンを除去し、次に第2層目の金属層表面にNiを電鋳して第2層目の金属層に形成したパターンを反転したNi電鋳部を形成し、その後第1層目の金属層から上記基板を分離し、次に第1層目の金属層と第2層目の金属層をエッチングにより除去することを特徴とするスパンタの製造方法。

IPC (5件)：

B29C 33/38 ,  B29C 45/26 ,  G11B 7/26 511 ,  G11B 11/00 ,  B29L 17:00