特許
J-GLOBAL ID：200903097924280530
ガンダイオード、その製造方法、およびその実装構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-259006
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022241
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 ガンダイオードの放熱性、歩留まり向上、平面回路への実装容易性等を実現する。【解決手段】 半導体積層部分に凹部20を形成することにより、ガンダイオードとして機能する部分と、そのガンダイオード部分の第1のコンタクト層12への外部からの電圧印加路として働く低抵抗層部分とを、分離して構成し、上記ガンダイオードとして機能する部分に電圧を印加する電極15,16を第2のコンタクト層14の上面に設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1の半導体層、活性層および第2の半導体層が順に積層されたガンダイオードにおいて、前記第2の半導体層上に配置され前記活性層に電圧を印加するための第1、第2の電極と、該第1の電極の周囲から前記第2の半導体層および前記活性層に向けて切り込まれ、且つ前記第1の電極が接続される前記第2の半導体層および前記活性層をガンダイオードとして機能させる領域として区画する凹部と、を備えたことを特徴とするガンダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
