特許
J-GLOBAL ID：200903097927704683
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317014
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163601
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】InX Ga1-X As層を電流チャネルとするヘテロ接合FETにおいて、In組成比を大きくしたときに生じる結晶転移欠陥に起因する性能劣化を防ぐ。【構成】半絶縁性InP基板1上にInAs/AlAs超格子バッファ層2、InX Ga1-X As電流チャネル層3、InY Al1-Y As電子供給層4およびInX Ga1-X Asコンタクト層5が形成されている。超格子層2は半絶縁性InP基板1およびInX Ga1-X As電流チャネル層3と格子整合するように、InAs層10の厚さt1 とAlAs層11の厚さt2 との比t1 /t2 を上層に向って徐々に変化させる。この超格子層2によってInP基板1とInX Ga1-X As電流チャネル層3との格子間歪が緩和される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に異なる2種の半導体層を交互に積層した超格子バッファ層および電流チャネル層が形成され、前記超格子バッファ層が前記半導体基板との接合面で格子整合し、かつ前記電流チャネル層との接合面でも格子整合することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/20
