特許
J-GLOBAL ID：200903097928194280
反射防止膜およびレジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福沢 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288131
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118656
出願日： 1992年10月05日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 ハレーション防止効果が高く、反射防止膜中の放射線吸収性材料が昇華せず、インターミキシングを生じることがなく、耐熱性に優れ、乾式エッチング性および保存安定性が良好で、解像度、精度等に優れたレジストパターンを形成しうる反射防止膜、並びにレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】 反射防止膜は、不飽和カルボン酸単量体、エポキシ基含有不飽和単量体およびシンナモイルフェニル基含有不飽和単量体をそれぞれ1種以上有する共重合体を含有する。レジストパターンは、基板上に予め反射防止膜を形成したのち、レジスト膜を形成し、次いで放射線を照射し、現像することによって形成される。
請求項（抜粋）：
下記式(1)で表される繰返し単位、下記式(2)で表される繰返し単位および下記式(3)で表される繰返し単位を、それぞれ1種以上有する共重合体を含有することを特徴とする反射防止膜。【化1】〔式(1)において、R1、R2およびR3は互いに同一でも異なってもよく、水素原子または有機基を示す。〕【化2】〔式(2)において、R1、R2およびR3は互いに同一でも異なってもよく、水素原子または有機基を示し、R4はエポキシ基含有有機基を示す。〕【化3】〔式(3)において、R1、R2およびR3は互いに同一でも異なってもよく、水素原子または有機基を示し、X は2価の基または単結合を示し、R5およびR6は互いに同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、ニトロ基または有機基を示し、R7およびR8は互いに同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基または有機基を示し、nは1〜4の整数であり、mは1〜5の整数である。〕
IPC (2件)：
G03F 7/11 503
, H01L 21/027
