特許

J-GLOBAL ID：200903097928984744

ドライエッチング方法

発明者： 組橋 孝生 ,  伊澤 勝 ,  川上 博士
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-154283
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008002
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【構成】Ptを含むパターン形成をドライエッチングで行うときに、フッ素を含むガスを用いて、マスク・下地層にAl原子を含む材料を用いる。【効果】対マスク・対下地選択比が少なくとも4,条件最適化により10以上の高選択比加工ができる。

請求項（抜粋）：

下地層となる第1層上に、Ptを含む層を第2層として堆積し、該第2層上に堆積した第3層をマスク材として、該第2層を加工するドライエッチング方法において、フッ素を含むガスのプラズマを用いて、該第1層もしくは該第3層の少なくとも1つの層にAl原子を含む層を用いることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 F