特許
J-GLOBAL ID：200903097936617629
微細な導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139989
公開番号（公開出願番号）：特開平8-315633
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 加熱を行うことなく簡便に微細な導体を製造することができる微細な導体の製造方法を提供すること。閉じた円筒面を有するナノチューブ、あるいは閉殻構造を有するグラファイト微粒子の金属化を達成可能な微細な導体の製造方法を提供すること。ナノチューブ、またはグラファイト微粒子の局所的な金属化の制御を行うことが可能な微細な導体の製造方法を提供すること。【構成】 ナノチューブまたはグラファイト微粒子の表面に、金属または化合物を真空中あるいは希ガス雰囲気中で堆積し、前記金属または化合物をナノチューブまたはグラファイト微粒子にインターカレートすることを特徴とする。放射線を照射することにより、あるいは電子顕微鏡内で電子線を照射することにより金属または化合物をナノチューブまたはグラファイト微粒子にインターカレートすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ナノチューブまたはグラファイト微粒子の表面に、金属または化合物を真空中あるいは希ガス雰囲気中で堆積し、前記金属または化合物をナノチューブまたはグラファイト微粒子にインターカレートすることを特徴とする微細な導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01B 1/00
, C01B 31/00
, C01B 31/02 101
, C01B 31/04 101
H01B 1/00 Z
, C01B 31/00
, C01B 31/02 101 Z
, C01B 31/04 101 B
