特許

J-GLOBAL ID：200903097937273095

イオン注入装置

発明者： 友吉 力 ,  菊池 修二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-213820
公開番号（公開出願番号）：特開平6-036739
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 イオン注入に伴う正電荷の蓄積による被処理体の絶縁破壊を防止すること。【構成】 ウエハWを載置する回転ディスク3の近傍にプラズマ発生部5を設けて、プラズマ中の電子によりウエハWの表面の正電荷を中和するようにする。プラズマ発生室51とアースとの間に電流検出部7を設け、制御部8にて、電流検出部7の電流検出値が設定値よりも低くなったときにビームゲート4の閉指令を出力するように構成する。プラズマ発生部5から電子が正常に引き出されている場合には電流検出値は所定の大きさであるが、プラズマ出口50の目詰まりなどにより電子が引き出されなくなると、電流検出値が低くなって、ビームゲート4が閉じる。また回転ディスク3からアースに流れる電流を検出して同様の機能を持たせてもよい。

請求項（抜粋）：

イオンビームの照射によりイオンが注入される被処理体を導電性の載置台上に載置すると共に、被処理体の近傍にプラズマ発生部を配置し、プラズマ発生部で発生したプラズマ中の電子が被処理体の表面に引き寄せられて当該被処理体の表面の正の電荷を中和するイオン注入装置において、前記プラズマ発生部または前記載置台とアースとの間に、この間を流れる電流を検出してプラズマ発生部の状態を監視するための電流検出部を設けたことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-093141
  
• 特開平4-143272
  
• 特開平1-311548