特許
J-GLOBAL ID:200903097946858179

FETの熱抵抗及びチャンネル温度測定方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 章夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-283291
公開番号(公開出願番号):特開平11-121575
出願日: 1997年10月16日
公開日(公表日): 1999年04月30日
要約:
【要約】【課題】 ジャンクションFETに電力を供給した状態での熱抵抗とチャンネル温度を測定可能とする。【解決手段】 ジャンクションFETのソース-ドレイン間電力をある一定の電力に保持した上で、FET温度を少なくとも2点の異なる温度に変化させてゲートバック電流Igを測定し、かつ各温度水準においてソース-ドレイン間電力を少なくとも2点の異なる値に変化させてゲートバック電流Igを測定する。熱抵抗ρは、ゲートバック電流が等しい異なる温度をTa1,Ta2とし、その際の各供給電力をPds1,Pds2としたときに、ρ=(Ta2-Ta1)/(Pds1-Pds2)で求める。また、チャンネル温度Tchは、熱抵抗ρと、測定時にFETに供給する電力Pdsから、Tch=ρ×Pdsで求める。
請求項(抜粋):
ジャンクションFETのソース-ドレイン間に電力を供給するとともに、その供給電力とFET温度とを変化させて前記FETのゲートに流れ込むゲートバック電流を測定し、前記ゲートバック電流に等しい値を与える異なる温度及び供給電力に基づき、その温度差と電力差とから熱抵抗ρ及びチャンネル温度Tchを求めることを特徴とするFETの熱抵抗及びチャンネル温度測定方法。

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