特許

J-GLOBAL ID：200903097946867348

モールド型半導体装置

発明者： 上村 和義
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233224
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085155
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】モールド内部とモールド外部とをつなぐ金属リードのインダクタンスによる高周波帯における、モールド内部、外部の回路のミスマッチを防ぐ。【構成】半導体チップ1をマウントする第1の金属部材2と、外部回路と接続される第2の金属部材3とを有し、第2の金属部材3を中心導体とし、これをはさむ様に第1の金属部材2の形状を接地導体として配置し、伝送線路を構成する。半導体チップ1と外周回路がマッチングできる様に、伝送線路の第1の金属部材2と第2の金属部材3の形状寸法を決定する。これにより、モールド内部と外部とを接続していた金属リードのインダクタンス成分によるミスマッチを防止する。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、この半導体チップがマウントされる第1の金属部材と、前記半導体チップに金属ワイヤ等のボンディングで接続され、前記半導体チップを外周回路と電気的に接続する第2の金属部材とがモールド樹脂により固定されているモールド型半導体装置において、少なくとも1つの高周波信号の入力又は出力端子が、前記第2の金属部材を中心導体とし、この中心導体を挟んだ前記第1の金属部材を接地導体として、所定の伝送線路インピーダンスを持たせたことを特徴とするモールド型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-234055
  
• 特開平2-087701
  
• 特開平4-068701