特許

J-GLOBAL ID：200903097949744107

化合物半導体積層構造、化合物半導体積層構造体、半導体発光素子、光通信装置、および化合物半導体積層構造体の製造方法

発明者： 友村 好隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-164052
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359442
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 InとIn以外のIII族元素、NとN以外のV族元素を含むIII-V族化合物混晶半導体材料を用いた半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】 化合物半導体装置において、III-V族化合物半導体層が、Inを含みNを含まない第1の化合物半導体層上にInを含まずNを含む第2の化合物半導体層が積層された積層構造を含み、前記積層構造は、前記第1の化合物半導体層と前記第2の化合物半導体層との間に、InおよびNを含まない中間層が形成されてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Inを含みNを含まない第1のIII-V族化合物半導体層と、In及びNを含まないIII-V族化合物半導体中間層と、Inを含まずNを含む第2のIII-V族化合物半導体層とが、この順で形成されてなることを特徴とする化合物半導体積層構造。

IPC (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (25件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AD08 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA20 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA23