特許
J-GLOBAL ID：200903097953398191
表面特性を改善するサファイア単結晶基板の熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243363
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083802
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 結晶面に応じて熱処理条件を選択することにより、高性能半導体出バスの作成に好適な超平坦表面をもつサファイア単結晶基板を得る。【構成】 常圧雰囲気で900°C以上の温度に加熱してサファイア単結晶基板を熱処理する際、面方位に対応して加熱時間及び加熱温度を選択することによりサファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を制御する。【効果】 超平坦で、実質的に同一結晶方位をもつテラス面のみからなり、しかも直線状の規則的なステップサイトをもつ基板表面が得られる。
請求項（抜粋）：
常圧雰囲気で900°C以上の温度に加熱してサファイア単結晶基板を熱処理する際、面方位に対応して加熱時間及び加熱温度を選択することによりサファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を制御することを特徴とするサファイア単結晶基板の熱処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/324
, H01L 21/02
, H01L 21/86
, H01L 27/12
