特許

J-GLOBAL ID：200903097956764652

有機トランジスタの形成方法

発明者： 喜納 修 ,  中村 隆一
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096730
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278804
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】 印刷法により、プラスチックフィルムを基板として用いて、高寸法精度の有機トランジスタを形成することができる有機トランジスタの形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の有機トランジスタの形成方法は、プラスチック基材1上に有機トランジスタを形成する方法であって、プラスチック基材1上に下部電極インクを塗布した後、下部電極インクを乾燥する工程と、下部電極インクを覆うように絶縁インクを塗布した後、絶縁インクを乾燥する工程と、絶縁インク上に上部電極インクを塗布する工程と、下部電極インク、絶縁インクおよび上部電極インクのうち少なくとも二層を一括して熱処理して積層体とする工程と、積層体上に有機半導体層6を積層する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

プラスチック基材上に有機トランジスタを形成する方法であって、 前記プラスチック基材上に下部電極インクを塗布した後、当該下部電極インクを乾燥する工程と、前記下部電極インクを覆うように絶縁インクを塗布した後、当該絶縁インクを乾燥する工程と、前記絶縁インク上に上部電極インクを塗布する工程と、前記下部電極インク、前記絶縁インクおよび前記上部電極インクのうち少なくとも二層を一括して熱処理して積層体とする工程と、前記積層体上に有機半導体層を積層する工程と、を備えたことを特徴とする有機トランジスタの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 51/05

FI (7件)：

H01L29/78 627C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616K

Fターム (31件)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32