特許
J-GLOBAL ID:200903097958360516
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-345275
公開番号(公開出願番号):特開2000-169677
出願日: 1998年12月04日
公開日(公表日): 2000年06月20日
要約:
【要約】【課題】 エリア実装用半導体パッケージに関し、室温及び半田付け工程での反りが少なく、耐半田性や耐温度サイクル性などの信頼性に優れ、かつ成形性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれにより封止された半導体装置を提供すること。【解決手段】 一般式(1)、(2)で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に20重量%以上含み、一般式(3)で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂中に20〜90重量%含み、一般式(4)で示されるジシクロ変性フェノール樹脂を総フェノール樹脂中に10〜80重量%含み、硬化促進剤及び溶融シリカ粉末からなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれにより封止された半導体装置。【化1】【化2】【化3】【化4】
請求項(抜粋):
(A)一般式(1)、(2)で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に20重量%以上含むエポキシ樹脂、(B)一般式(3)で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂中に20〜90重量%含み,一般式(4)で示されるジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂硬化剤を総フェノール樹脂硬化剤中に10〜80重量%含むフェノール樹脂硬化剤、(C)硬化促進剤、(D)溶融シリカ粉末からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】【化2】【化3】【化4】式(1)〜(3)中のRはハロゲン原子又は炭素数1〜12のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。lは1〜10、mは0もしくは1〜3の正の整数、nは0もしくは1〜4の正の整数である。式(4)のkは0〜6の正の整数である。
IPC (6件):
C08L 63/00
, C08K 3/36
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/32
, C08G 59/62
FI (6件):
C08L 63/00 B
, C08L 63/00 C
, C08K 3/36
, C08G 59/32
, C08G 59/62
, H01L 23/30 R
Fターム (47件):
4J002CC06X
, 4J002CD03W
, 4J002CD05W
, 4J002CD06W
, 4J002CD07W
, 4J002CE00Y
, 4J002DJ017
, 4J002EN026
, 4J002EU116
, 4J002EW016
, 4J002EW176
, 4J002FD017
, 4J002FD090
, 4J002FD130
, 4J002FD14X
, 4J002FD14Y
, 4J002FD156
, 4J002GJ02
, 4J002GQ00
, 4J036AC02
, 4J036AE07
, 4J036AF36
, 4J036DA04
, 4J036DA05
, 4J036DC05
, 4J036DC41
, 4J036DD07
, 4J036FA05
, 4J036FB06
, 4J036FB08
, 4J036GA04
, 4J036JA07
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109EB03
, 4M109EB04
, 4M109EB06
, 4M109EB07
, 4M109EB08
, 4M109EB09
, 4M109EB13
, 4M109EC01
, 4M109EC03
, 4M109EC04
, 4M109EC05
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