特許
J-GLOBAL ID：200903097964452570
表面放射形半導体レーザアレー構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-059701
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090716
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 それぞれのレーザダイオードを個々に選択でき、同時に小さい所要面積及び最小のアドレス費用が得られるような、電気的ポンピング半導体レーザアレー構造を提供する。【構成】 基板を有せず垂直な共振器及び電気的に絶縁された金属の支持層iを備え、個々のダイオードのn側及びp側のパターンを直接形成して、個々のダイオードのn側の下方及びp側の上方に相互に交差して延びる導体路l、oを設けることにより、これらのダイオードを個々にそれぞれ二つの導体路を介して電気的方法でアドレスできるようにする。
請求項（抜粋）：
基板を有せず垂直な共振器及び電気的に絶縁された金属の支持層(i)を備え、個々のダイオードのn側及びp側のパターンを直接形成して、個々のダイオードのn側の下方及びp側の上方に相互に交差して延びる導体路(l、o)を設けることにより、これらのダイオードを個々にそれぞれ二つの導体路を介して電気的方法でアドレスできるようにすることを特徴とする表面放射形レーザアレー構造。
IPC (2件)：
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