特許

J-GLOBAL ID：200903097968314164

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  山田 元量 ,  田中 政信
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098621
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291366
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体内部の光の多重反射により起こる干渉を抑えることにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させる。【構成】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたチップを封止材料で封止してなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体表面に、該窒化ガリウム系化合物半導体の発光波長における屈折率が、窒化ガリウム系化合物半導体の屈折率と封止材料の屈折率との間にある透明薄膜が形成されている。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたチップを封止材料で封止してなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体表面に、該窒化ガリウム系化合物半導体の発光波長における屈折率が、窒化ガリウム系化合物半導体の屈折率と封止材料の屈折率との間にある透明薄膜が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-022491
  
• 特開昭61-096780