特許

J-GLOBAL ID：200903097969749660

光点弧サイリスタ

発明者： 細谷 清志 ,  秋山 茂夫 ,  来住 秀樹 ,  丹羽 正久 ,  左手 豊文
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 倉田 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217057
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069495
出願日： 1992年08月14日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】高感度で且つ耐ノイズ性にも優れた光点弧サイリスタを提供する。【構成】光点弧サイリスタのN型ゲート7とカソード6の間にNPNバイポーラトランジスタ8を接続し、このNPNバイポーラトランジスタ8にベース電流を流すためのNチャンネルMOSトランジスタ9をNPNバイポーラフォトトランジスタ11によりオン/オフ制御するように構成した。【効果】光が照射されると、フォトトランジスタ11、MOSトランジスタ9、NPNバイポーラトランジスタ8がONして、サイリスタのN型ゲート7から電流を引き抜き、サイリスタをONさせるので、サイリスタのP型ゲート4とカソード6の間の抵抗5の抵抗値を低く設定しても、光感度は高くでき、また、前記抵抗5が低抵抗であることによりdv/dt耐量も高くできる。

請求項（抜粋）：

光によって点弧可能な光点弧サイリスタにおいて、該サイリスタのN型ゲートとカソードの間にNPNバイポーラトランジスタのコレクタとエミッタを接続し、前記NPNバイポーラトランジスタのコレクタとベースの間にNチャンネルMOSトランジスタのドレインとソースを接続し、前記NPNバイポーラトランジスタのベースとエミッタの間に抵抗を接続し、前記NチャンネルMOSトランジスタのドレインとゲートの間にNPNバイポーラフォトトランジスタのコレクタとエミッタを接続し、前記NチャンネルMOSトランジスタのゲートと前記NPNバイポーラトランジスタのエミッタの間に、ツェナーダイオードのカソードとアノードを接続したことを特徴とする光点弧サイリスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/74 ,  H01L 31/10