特許
J-GLOBAL ID：200903097970596002
集積化センサ・アレイ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354043
公開番号（公開出願番号）：特開平6-137906
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 設計時間を短縮し、プロトタイプの集積化センサの開発を可能にし、カスタム集積化センサの開発に関連したリスクを軽減できる、集積化センサの設計及び開発プロセスのアプローチを提供すること。【構成】 シリコン基板の回路領域にセンサ部分を除いて回路部分を予め作成しておき、後にセンサの種類に応じて予定したセンサの部分にセンサを形成して、回路部分と電気的接続を行う。
請求項（抜粋）：
状態を検知して、機能を果たす集積化センサ・アセンブリ(10)の製造方法において、センサ領域(14)と回路領域とを備えた表面を有する集積回路基板(12)を設けるステップと、前記回路領域に部分的に半導体アレイ処理ステップを実施して、少なくとも部分的に完成したアレイ・コンポーネントを形成し、在庫として保管することの可能な部分的に完成した集積化センサ・アセンブリ(10)を得るステップと、前記部分的に完成した集積化センサ・アセンブリ(10)に、半導体センサ処理ステップを実施し、複数のセンサ・タイプの間から選択されたセンサを前記センサ領域(12)に形成するステップと、前記半導体アレイ処理ステップを続行し、アレイ・コンポーネントを完成するステップと、半導体相互接続処理ステップを実施して、前記完成したアレイ・コンポーネントの相互接続及び前記センサと前記完成したアレイ・コンポーネントの相互接続を形成するステップとから成り、前記相互接続が前記センサ・タイプ及び前記機能によって決まるということを特徴とする集積化センサ・アセンブリ(10)の製造方法。
IPC (11件)：
G01D 21/00
, G01K 11/00
, G01L 1/00
, G01L 1/22
, G01L 9/04
, G01N 5/00
, G01N 19/10
, G01P 15/08
, G01R 1/00
, H01L 43/08
, H01L 29/84
