特許

J-GLOBAL ID：200903097972658749

低電気抵抗透明導電膜

発明者： 水野 雅夫 ,  宮本 隆志
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 明田 莞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133351
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329085
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 成膜温度(基板温度):250 °C以下の成膜条件で成膜される場合においても得られる膜の電気抵抗率が低く、10×10-4Ωcm以下であり、又、可視光透過率が高く、80%以上である透明導電膜を提供する。【解決手段】 Inの酸化物を主成分とし、GeあるいはGe酸化物を含有する透明導電膜であって、Geの含有量がGe量とIn量の合計に対して2〜10原子%、キャリア密度が9×1020/cm3以上、キャリア移動度が20cm3/Vs以上であることを特徴とする低電気抵抗透明導電膜。

請求項（抜粋）：

Inの酸化物を主成分とし、GeあるいはGe酸化物を含有する透明導電膜であって、Geの含有量がGe量とIn量の合計に対して2〜10原子%、キャリア密度が9×1020/cm3以上、キャリア移動度が20cm3/Vs以上であることを特徴とする低電気抵抗透明導電膜。

IPC (3件)：

H01B 5/14 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343

FI (3件)：

H01B 5/14 A ,  C23C 14/08 D ,  G02F 1/1343