特許

J-GLOBAL ID：200903097972737347

化学増幅系フォトレジストの光反応解析方法および装置

発明者： 南 洋一 ,  関口 淳 ,  松澤 敏晴
出願人/特許権者： リソテック ジャパン株式会社
代理人 (1件)： 千田 稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095849
公開番号（公開出願番号）：特開平9-265189
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅系レジストの反応の詳細を知り材料選択の適性化を図ると共にプロセスを確立するための、新たな解析方法および装置の開発。【解決手段】 光酸発生剤を含む化学増幅系フォトレジストを予め塗布した基板に露光エネルギーを与え、光酸発生剤の光分解に伴う反応基のIR吸収の変化をFT-IRで測定し、プロトンの発生量を求める、化学増幅系フォトレジストの光反応解析方法および装置。

請求項（抜粋）：

光酸発生剤を含む化学増幅系フォトレジストを予め塗布した基板に露光エネルギーを与え、光酸発生剤の光分解に伴う反応基のIR吸収の変化をFT-IRで測定し、プロトンの発生量を求める、化学増幅系フォトレジストの光反応解析方法。

IPC (3件)：

G03F 7/26 501 ,  G01N 21/35 ,  G01N 21/75

FI (3件)：

G03F 7/26 501 ,  G01N 21/35 Z ,  G01N 21/75 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レジスト処理方法及びレジスト処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-001872   出願人：株式会社東芝