特許

J-GLOBAL ID：200903097973761705

セラミック表面への導体パターン形成方法

発明者： 柳瀬 康孝
出願人/特許権者： 株式会社ノリタケカンパニーリミテド ,  ノリタケ電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188943
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015894
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】セラミック表面に断線が生じ難い導体パターンを高密度で形成する導体形成方法を提供する。【解決手段】成形工程および焼成工程において導体パターン形状を有する凹所16が基板14の表面12に設けられた後に、下地層形成工程においてニッケル層22をその表面12に無電解めっきによって固着することから、その凹所16内にもニッケル層22が形成されるため、ラッピング工程においてその表面12側からその表面12に到達する深さ以上の深さDまで研磨してそのニッケル層22を除去すると、そのニッケル層22すなわち下地層18は凹所16内だけに残る。そのため、その凹所16は導体パターン形状に形成されていることから、その凹所16内の下地層18およびその上に形成される導体層20すなわち導体膜11によって所定の導体パターン10が表面12に形成される。

請求項（抜粋）：

セラミックスの表面に所定の導体パターンを形成する方法であって、前記導体パターン形状を備えた所定深さの凹所を前記表面に形成する凹所形成工程と、前記表面に無電解めっきによって所定の第1導体から成る第1導体膜を固着する第1導体膜固着工程と、その第1導体膜固着工程に続き、前記表面側からその表面に到達する深さまで研磨して前記第1導体膜を除去する研磨工程とを、含むことを特徴とするセラミック表面への導体パターン形成方法。

IPC (2件)：

H05K 3/18 ,  H05K 1/02

FI (2件)：

H05K 3/18 E ,  H05K 1/02 L

Fターム (16件)：

5E338AA01 ,  5E338AA18 ,  5E338CD01 ,  5E338EE23 ,  5E338EE27 ,  5E343AA23 ,  5E343BB03 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE33 ,  5E343EE43 ,  5E343FF12 ,  5E343GG08