特許
J-GLOBAL ID：200903097975072737
改良された半導体ブリッジ起爆装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-519069
公開番号（公開出願番号）：特表平10-504634
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】本発明は、点火素子として半導体ブリッジ(292)を用いる電気起爆装置の製造方法を開示する。半導体ブリッジ(292)は、ブリッジ材料と低抵抗でわずかに接触することによって金属ヘッダ(100)に電気的に接続され、かつ、シリコンと金属ヘッダ(100)に対する金めっき(350)とによって形成される共晶ボンド(260)に絶縁シリコン基板(270)を介して電気的に接続される。ブリッジ回路の第2の電極(360)は、金属ヘッダ(100)を貫通しかつその周りのガラス(120)によって絶縁される1つまたは2つの導電性ピン(110)にワイヤボンド(130)を介して接続される。この設計では、標準的な半導体組立法を用いることができる。電気的接触のために電気材料からなる小さいパッドが用いられるため、ダイのサイズは小さい。ヘッダ(100)から絶縁される2つの導電性のピン(110)を介して半導体ブリッジの1つの電極(360)に冗長的に接続することによって、ワイヤボンドの完全性に関して組立後にテストを行なうことができるようになる。
請求項（抜粋）：
半導体ブリッジ起爆装置であって、前記装置は電気的に導電性のヘッダに装着され、前記装置は、 前記ヘッダに装着される電気的に絶縁性の基板と、 前記基板の表面から前記基板の底面に延びる前記絶縁性基板の一部分にあるコンタクトホールと、 前記絶縁性基板の一部分に配置される高濃度にドープされたシリコン層とを含み、前記部分は前記コンタクトホールまたは前記絶縁性基板の縁部を含まず、前記シリコン層は、ブリッジによって接続される第1および第2の互いに間隔があけられたパッドを規定し、 前記シリコン層および基板の上に配置される金属電極材料をさらに含み、前記電極材料は別々の第1および第2の電極を規定し、 前記第1の電極は前記シリコン層の第1のパッドと電気的に接触しかつ前記コンタクトホールを介して前記ヘッダと電気的に接触し、前記第1のパッドから前記基板を介して前記ヘッダまで電気的な接続が形成され、前記第1の電極は前記第1のパッドと前記ヘッダとの間の唯一の電気的接続であり、 前記第2の電極は前記シリコン層の第2のパッドと電気的に接触し、 前記ブリッジと接触する起爆材料をさらに含む、半導体ブリッジ起爆装置。
引用特許：
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