特許
J-GLOBAL ID:200903097977528029
光情報記録媒体、光情報記録再生方法、光情報記録再生装置、及び光情報記録媒体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
友松 英爾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-304019
公開番号(公開出願番号):特開2002-358691
出願日: 2001年09月28日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 高速記録可能な相変化型光情報記録媒体、並びに該光情報記録媒体の有する能力を十分に発揮できる高速記録可能な光情報記録再生方法及び光情報記録再生装置の提供。【解決手段】 1)標準記録線速度Vr及び/又は最高記録線速度Vhを示す情報を有すると共に、転位線速度Vが、0.85Vr≦V、或いは、0.85Vh≦Vの条件式を満足する相変化型光情報記録媒体。2)相変化記録材料は、Ag,In,Sb,Teから成り、これらの元素の結合配位数が、成膜後の非晶状態と、初期化後及び情報消去後の結晶状態とで異なる相変化型光情報記録媒体。3)記録層がGeGaSbTeからなり、各元素の組成比α、β、γ、δ(原子%)が、0.1≦α≦7、1≦β≦9、61≦γ≦75、22≦δ≦30である相変化型光情報記録媒体。
請求項(抜粋):
同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明基板上に少なくとも相変化型記録層を有する光情報記録媒体において、該記録媒体に、標準記録線速度Vr及び/又は最高記録線速度Vhを示す情報を有すると共に、相変化型記録層に形成されているランド部及び/又はグルーブ部に対し、記録層材料を溶融できるエネルギーを照射しつつ、線速度を増大させながら走査した際、光情報記録媒体の反射率が前記エネルギーの照射前に比べて低下する線速度を転位線速度Vとした場合に、半導体レーザー光を該案内溝のグルーブ部又はランド部にフォーカスしてDC照射した際の転位線速度Vが、0.85Vr≦V、或いは、0.85Vh≦Vの条件式を満足することを特徴とする光情報記録媒体。
IPC (8件):
G11B 7/24 501
, G11B 7/24 511
, G11B 7/24 534
, G11B 7/24
, G11B 7/24 561
, G11B 7/004
, G11B 7/0045
, G11B 7/26 531
FI (10件):
G11B 7/24 501 Z
, G11B 7/24 511
, G11B 7/24 534 H
, G11B 7/24 534 J
, G11B 7/24 534 K
, G11B 7/24 534 M
, G11B 7/24 561 N
, G11B 7/004 Z
, G11B 7/0045 A
, G11B 7/26 531
Fターム (15件):
5D029HA10
, 5D029JA01
, 5D029LA12
, 5D029LA13
, 5D029LA14
, 5D029LA16
, 5D029WB11
, 5D090AA01
, 5D090BB05
, 5D090CC01
, 5D090CC14
, 5D090FF21
, 5D090KK03
, 5D121AA01
, 5D121EE30
引用特許:
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