特許
J-GLOBAL ID：200903097980842451
チタン酸鉛系誘電体薄膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院東北工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210644
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055515
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【構成】 膜厚1μm以下のチタン酸鉛(PbTiO3)を基本組成とした薄膜において、ペロブスカイト型結晶構造を示すチタン酸鉛の結晶格子におけるチタン位置に、イオン半径が0.60〜0.90Åの範囲にある金属元素をチタン原子に対して1〜50モル%の割合で置換固溶させたチタン酸鉛系誘電体薄膜である。【効果】 膜厚が1μm以下の薄膜においても誘電率の低下が少なく、優れた誘電特性を示し、赤外線センサ用材料、マイクロアクチュエータ用材料、メモリ用材料などへの応用が期待できる。
請求項（抜粋）：
膜厚1μm以下のチタン酸鉛(PbTiO3)を基本組成とした薄膜において、ペロブスカイト型結晶構造を示すチタン酸鉛の結晶格子におけるチタン位置に、イオン半径が0.60〜0.90Åの範囲にある金属元素をチタン原子に対して1〜50モル%の割合で置換固溶させたことを特徴とするチタン酸鉛系誘電体薄膜。
IPC (4件)：
H01B 3/00
, C01G 23/00
, C04B 35/46
, H01B 3/12 302
