特許
J-GLOBAL ID：200903097985577020
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-021480
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235198
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 冗長回路及び配線の占有面積を減少可能とし、集積度を向上させることのできる半導体記憶装置を提供する。【構成】 アクティブ状態であるとメモリセル部から読み出された出力データを増幅し、アクティブ状態でないと一定の第1の論理レベルの出力データを出力するセンスアンプ手段1と、入力アドレスと記憶されている不良アドレスとが一致すると一致検出信号を出力する一致検出手段4と、一致検出信号に応答して記憶されている不良出力を示すデータを出力する不良出力選択手段5と、出力データと不良出力選択データとが供給されるデータ切替手段2と、不良出力が読み出されるモードを示すモード信号SRに基づいてセンスアンプ手段1をアクティブ状態にする第1の信号SEをセンスアンプ手段へ供給すると共に、モード信号SR及び出力データとパリティに基づいてパリティチェック結果を示す第2の信号をデータ切替手段へ供給する論理回路手段3とを備える。
請求項（抜粋）：
メモリセル部に記憶されているデータ及びパリティを用いて不良メモリセルを救済する構成の半導体記憶装置において、アクティブ状態であるとメモリセル部から読み出された出力データを増幅し、アクティブ状態でないと一定の第1の論理レベルの出力データを出力するセンスアンプ手段(1)と、入力アドレスと予め記憶されている不良アドレスとが一致すると一致検出信号を出力する一致検出手段(4)と、該一致検出信号に応答して予め記憶されている不良出力を示す不良出力選択データを出力する不良出力選択手段(5)と、該センスアンプ手段(1)からの出力データと該不良出力選択手段(5)からの不良出力選択データとが供給されるデータ切替手段(2)と、不良出力が読み出されるシグネチャリードモードを示すモード信号(SR)に基づいて該センスアンプ手段(1)をアクティブ状態にする第1の信号(SE)を該センスアンプ手段(1)へ供給すると共に、前記モード信号(SR)及び前記メモリセル部から読み出された出力データとパリティに基づいてパリティチェック結果を示す第2の信号を該データ切替手段(2)へ供給する論理回路手段(3)とを備え、該論理回路手段(3)は、該モード信号(SR)が入力されると第1の論理レベルとは反対の第2の論理レベルの第2の信号を該データ切替手段(2)へ供給し、該データ切替手段(2)は、該不良出力選択手段(5)からの不良出力選択データにより示される不良ビットについては、該センスアンプ手段(1)からの出力データに替えて該論理回路手段(3)からの第2の信号を出力する、半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 29/00 301
, G11C 29/00 302
, G11C 17/00
