特許
J-GLOBAL ID：200903097987282044
面発光レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
, 畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-026224
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241422
出願日： 2003年02月03日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】大きなメサポスト及び電流注入領域の径を有し、かつ出射光を電極金属膜や基板によって遮ることなく、高いレーザ光出力を有する面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】面発光レーザ素子50は、励振される横モードをLP21モードに設定した、GaAs基板52上に、n-Al0.1Ga0.9As層とn-Al0.9Ga0.1As層とからなるn-下部多層膜反射鏡54と、発光構造層56、電流狭窄層58と、p-AlGaAs層とp-AlGaAs層とからなるp-上部多層膜反射鏡60と、p-GaAsコンタクト層62の積層構造を備えている。p-GaAsコンタクト層62から発光構造層56は、直径が100μmの円柱状メサに形成されている。電流狭窄層58は、直径50μmの円形の電流注入領域58A及びその周りに形成された電流狭窄領域58Bから構成されている。メサの最上層を構成するp-GaAsコンタクト層56上には、p-GaAsコンタクト層62上に発生するLP21モードの発光パターンの暗部に対応させた形状のp側電極66が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、順次、積層された半導体多層膜の下部反射鏡、活性層、及び半導体多層膜の上部反射鏡と、前記上部反射鏡上の一部に形成された上部電極と、前記上部反射鏡中に形成され、前記上部電極から前記活性層に注入される電流経路を規定する電流注入領域、及び前記電流注入領域を囲んで設けられた電流狭窄領域から構成される電流狭窄層とを有し、
少なくとも前記上部反射鏡及び前記活性層がメサポスト構造として形成され、
電流注入により前記上部反射鏡の上面から前記基板と垂直にレーザ光を放射する面発光レーザ素子において、
前記上部電極が、前記上部反射鏡の上面に発生する横モードの発光パターンの暗部の形状と一致する平面形状に形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/042 612
, H01S5/183
5F073AA22
, 5F073AA61
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073CA04
, 5F073DA05
, 5F073DA27
, 5F073EA17
, 5F073EA29
