特許
J-GLOBAL ID：200903097988096716
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-065961
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267675
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 絶縁ゲート型スイッチング素子を過電流から保護する過電流保護回路を有する半導体装置において、過電流が流れた場合の電流制限時にスイッチング素子をターンオフして過電流を遮断可能で、熱放散などの複雑な機構を不要とした小型,高性能な半導体装置を実現すること。【構成】 半導体装置12において、スイッチング素子たるIGBT21の過電流保護回路12aには、横型IGBT(ラッチングIGBT)46を有し、IGBT21と横型IGBT46とは、同一金属基板20上に形成されている。
請求項（抜粋）：
ゲート電極に印加されるゲート電圧により制御可能な絶縁ゲート型スイッチング素子と、この絶縁ゲート型スイッチング素子に流れる電流を検出可能な検出抵抗を備える電流検出手段と、この電流検出手段における電圧降下に基づき前記ゲート電圧をバイパス制御可能なゲート電圧制御用素子と、を有する半導体装置において、前記ゲート電圧制御用素子は、サイリスタであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 321 K
