特許

J-GLOBAL ID：200903097989477217

イオン注入装置およびイオン注入方法

発明者： 三宅 潔
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-291732
公開番号（公開出願番号）：特開2000-123778
出願日： 1998年10月14日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】本発明は安価な多重イオン注入装置,イオン注入方法,半導体的性質を有する金属シリサイド材料の作製方法、ならびに、それらを構成要素とした太陽電池および光電デバイスおよび熱電発電素子を提供する。【解決手段】本発明はイオン発生部印加電圧を制御し、引き出したイオンビームを質量分離しないで直接基板部にイオン注入することを特徴とするイオン注入装置、および、イオン注入方法。

請求項（抜粋）：

真空中に正イオン発生部,正イオン引き出し部,被イオン注入基板部を少なくとも配置し、イオン発生部に時間的に変化する正の高電圧を段階的に印加し、引き出した正イオンビームを質量分離しないで直接基板部に照射イオン注入することを特徴とする正イオン注入装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01J 37/317 Z ,  H01L 21/265 F ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 V

Fターム (7件)：

5C034CC01 ,  5C034CC19 ,  5C034CD02 ,  5C034CD07 ,  5F051AA16 ,  5F051CB19 ,  5F051JA20