特許
J-GLOBAL ID：200903097993299315
サーミスタ薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-156123
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348901
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 高精度・高信頼性のサーミスタ薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板2上に、スパッタリング法によりMnを主成分とした酸化物薄膜を形成し、酸化物薄膜上に電極対を形成することによりサーミスタ薄膜を製造する際、ターゲット4が、バッキンブプレート上に複数個のMnを主成分とした酸化物焼結体ブロックを敷き詰めてボンディングしたものである。
請求項（抜粋）：
下地基板上に、スパッタリング法によりMnを主成分とした酸化物薄膜を形成し、前記酸化物薄膜上に電極対を形成することによりサーミスタ薄膜を製造する方法であって、スパッタリングの際に用いるターゲットが、バッキンブプレート上に複数個のMnを主成分とした酸化物焼結体ブロックを敷き詰めてボンディングした構成であることを特徴とする薄膜サーミスタの製造方法。
Fターム (4件)：
5E034BA09
, 5E034BB08
, 5E034BC03
, 5E034CB08
