特許

J-GLOBAL ID：200903097997717189

気相成長装置および気相成長方法

発明者： 落水 洋聡 ,  吉川 俊英
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043907
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243164
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】半導体薄膜を基板上に成長する気相成長装置において、割れやすい性質をもつ石英管を装置から取り外すことなく、堆積した分解生成物を短時間で容易に、且つ安全に除去することが可能な気相成長装置を提供することを目的とする。【構成】半導体薄膜を基板上に成長する気相成長装置において、原料ガスを供給するガス供給口2と、ガス排出口3とを備えた反応管1と、該反応管1の内部に配置された石英管6と、該石英管6の周囲を覆うように設置され、被処理基板4を載置するためのサセプタ5と、該被処理基板4を加熱する加熱手段Lと、該石英管6の露出部分を覆うように設置した第一の保護材9とを有することを特徴とする気相成長装置。

請求項（抜粋）：

原料ガスを供給するガス供給口(2)と、ガス排出口(3)とを備えた反応管(1)と、該反応管(1)の内部に配置された石英管(6)と、該石英管(6)の周囲を覆うように設置され、被処理基板(4)を載置するためのサセプタ(5)と、該被処理基板(4)を加熱する加熱手段(L)と、該石英管(6)の露出部分を覆うように設置した第一の保護材(9)とを有することを特徴とする気相成長装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/56 ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/31