特許
J-GLOBAL ID：200903097998912910
半導体材料の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-350547
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078759
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、信頼性、電気的特性に優れた半導体材料、特に膜状に形成される半導体材料を提供することを目的とする。【構成】 成膜、イオン注入等の真空処理後に外気に触れることなく、連続的にレーザーアニールをおこなうことによって半導体材料の特性を良好なものとする。
請求項（抜粋）：
少なくとも2つの真空処理チャンバーを有する半導体製造装置において、1つのチャンバーはレーザーアニールのためのチャンバーであり、かつ、他の真空処理チャンバーのうち、少なくとも1つの真空処理チャンバーにおいて処理を受けた基板が、該レーザーアニールのためのチャンバーに移送され、レーザーアニールされることを特徴とする半導体材料の製造装置。
IPC (6件)：
H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
