特許

J-GLOBAL ID：200903098004404500

高誘電体薄膜、高誘電体薄膜形成用材料、および高誘電体薄膜形成方法

発明者： 佐藤 善美 ,  熊谷 智弥 ,  川上 敦史
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146600
公開番号（公開出願番号）：特開2004-345922
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】超薄膜で、良好な絶縁特性および高誘電体特性を有し、他の素子に対する熱劣化を防ぐとともに、スループットの向上、プロセスの簡素化を図り、従来高温プロセスの適用が難しいとされていた部材等にも好適に適用することができる高誘電体薄膜、高誘電体薄膜形成用材料、および高誘電体薄膜形成方法を提供する。【解決手段】高誘電体特性を有するアモルファス構造のチタン酸ジルコニウム高誘電体薄膜。上記チタン酸ジルコニウムは、Zr:T1=1:0.5〜4の金属組成比を満足するものが好ましい。上記高誘電体薄膜は、ジルコニウムアルコキシドとチタンアルコキシドを含む溶液を加水分解したゾル-ゲル液を、基板上に塗布し、好ましくは350〜700°Cの温度範囲内で焼成することによって形成する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

高誘電体特性を有するアモルファス構造のチタン酸ジルコニウム高誘電体薄膜。

IPC (4件)：

C04B35/49 ,  H01B3/00 ,  H01B3/12 ,  H01L21/316

FI (5件)：

C04B35/49 Z ,  H01B3/00 F ,  H01B3/12 338 ,  H01L21/316 G ,  H01L27/10 444C

Fターム (32件)：

4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G031GA02 ,  4G031GA05 ,  4G031GA06 ,  4G031GA11 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA29 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F083PR25 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB15 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA01