特許
J-GLOBAL ID:200903098008699858
半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮本 治彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-332950
公開番号(公開出願番号):特開2001-156067
出願日: 1999年11月24日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】低温成膜が可能であり、かつ反応副生成物のNH4Clが発生しない酸化窒化シリコン膜の製造工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とN2Oとを原料ガスとして用いて酸化窒化シリコン膜を熱CVD法により形成する。
請求項(抜粋):
ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とN2Oとを原料ガスとして用いて酸化窒化シリコン膜を形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (11件):
5F058BA05
, 5F058BA20
, 5F058BC11
, 5F058BF04
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BF37
, 5F058BG01
, 5F058BG02
, 5F058BJ01
引用特許:
審査官引用 (9件)
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酸素含有ケイ素化合物膜の成長方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-163791
出願人:エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
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成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-087598
出願人:株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
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容量絶縁膜の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-290983
出願人:株式会社日立製作所
-
成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-084052
出願人:東京エレクトロン株式会社
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特開平2-093071
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化学気相成長法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-126943
出願人:日本電気株式会社
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ビス(t-ブチルアミノ)シランからの窒化珪素の化学気相成長法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-281036
出願人:エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
-
絶縁膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-328838
出願人:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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薄膜堆積方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-341717
出願人:ソニー株式会社
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