特許

J-GLOBAL ID：200903098009310245

SIMOXまたは貼り合わせSOI基板上に作成したハイブリッド素子及びその製造方法

発明者： 田中 剛
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-109598
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303385
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 高性能なハイブリッド素子を高集積に形成する。【解決手段】 SOI基板からシリコン層1及び絶縁層2を選択的に除去してシリコン基板3を露出させ、露出されたシリコン基板3とシリコン層1とにそれぞれ所望の半導体素子11を形成する。好ましくは、シリコン層1にDRAMのロジック回路13を、シリコン基板3にDRAMのメモリセル部11を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板、絶縁層及びシリコン層を含むSOI基板に半導体装置を製造する方法であって、前記SOI基板を用意し、前記SOI基板から選択的にシリコン層及び絶縁層を除去し、前記シリコン基板を露出させ、前記露出されたシリコン基板と前記シリコン層とにそれぞれ半導体素子を形成することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 626 C