特許
J-GLOBAL ID:200903098013004051

配線板のビアホール形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-244989
公開番号(公開出願番号):特開2001-313471
出願日: 2000年08月11日
公開日(公表日): 2001年11月09日
要約:
【要約】【課題】 信頼性の高いビアホールを少ない工程数で形成することのできる配線板のビアホール形成方法を提供する。【解決手段】 樹脂層7の表面に金属層6を有する配線板1に、炭酸ガスレーザLを用いてビアホール8を形成する方法に関する。1パルス目は金属層6に高エネルギーな炭酸ガスレーザL1を照射する。2パルス目以降は樹脂層7に低エネルギーな炭酸ガスレーザL2,L3...を照射してビアホール8を穿設する。
請求項(抜粋):
樹脂層の表面に金属層を有する配線板に、炭酸ガスレーザを用いてビアホールを形成するにあたって、1パルス目は金属層に高エネルギーな炭酸ガスレーザを照射し、2パルス目以降は樹脂層に低エネルギーな炭酸ガスレーザを照射してビアホールを穿設することを特徴とする配線板のビアホール形成方法。
IPC (5件):
H05K 3/46 ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/26 ,  B23K101:42
FI (6件):
H05K 3/46 X ,  H05K 3/46 N ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/26 F ,  B23K101:42
Fターム (40件):
4E068AF01 ,  4E068DA11 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343BB24 ,  5E343BB67 ,  5E343EE01 ,  5E343EE42 ,  5E343EE43 ,  5E343EE52 ,  5E343FF16 ,  5E343FF23 ,  5E346AA02 ,  5E346AA04 ,  5E346AA12 ,  5E346AA29 ,  5E346AA32 ,  5E346AA42 ,  5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC09 ,  5E346CC32 ,  5E346CC55 ,  5E346DD03 ,  5E346DD22 ,  5E346EE13 ,  5E346EE19 ,  5E346EE20 ,  5E346FF01 ,  5E346FF02 ,  5E346FF07 ,  5E346FF23 ,  5E346FF27 ,  5E346GG07 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG27 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11 ,  5E346HH33

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