特許
J-GLOBAL ID:200903098013004051
配線板のビアホール形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-244989
公開番号(公開出願番号):特開2001-313471
出願日: 2000年08月11日
公開日(公表日): 2001年11月09日
要約:
【要約】【課題】 信頼性の高いビアホールを少ない工程数で形成することのできる配線板のビアホール形成方法を提供する。【解決手段】 樹脂層7の表面に金属層6を有する配線板1に、炭酸ガスレーザLを用いてビアホール8を形成する方法に関する。1パルス目は金属層6に高エネルギーな炭酸ガスレーザL1を照射する。2パルス目以降は樹脂層7に低エネルギーな炭酸ガスレーザL2,L3...を照射してビアホール8を穿設する。
請求項(抜粋):
樹脂層の表面に金属層を有する配線板に、炭酸ガスレーザを用いてビアホールを形成するにあたって、1パルス目は金属層に高エネルギーな炭酸ガスレーザを照射し、2パルス目以降は樹脂層に低エネルギーな炭酸ガスレーザを照射してビアホールを穿設することを特徴とする配線板のビアホール形成方法。
IPC (5件):
H05K 3/46
, B23K 26/00 330
, H05K 3/00
, H05K 3/26
, B23K101:42
FI (6件):
H05K 3/46 X
, H05K 3/46 N
, B23K 26/00 330
, H05K 3/00 N
, H05K 3/26 F
, B23K101:42
Fターム (40件):
4E068AF01
, 4E068DA11
, 5E343AA02
, 5E343AA12
, 5E343BB24
, 5E343BB67
, 5E343EE01
, 5E343EE42
, 5E343EE43
, 5E343EE52
, 5E343FF16
, 5E343FF23
, 5E346AA02
, 5E346AA04
, 5E346AA12
, 5E346AA29
, 5E346AA32
, 5E346AA42
, 5E346AA43
, 5E346CC04
, 5E346CC09
, 5E346CC32
, 5E346CC55
, 5E346DD03
, 5E346DD22
, 5E346EE13
, 5E346EE19
, 5E346EE20
, 5E346FF01
, 5E346FF02
, 5E346FF07
, 5E346FF23
, 5E346FF27
, 5E346GG07
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG27
, 5E346GG28
, 5E346HH11
, 5E346HH33
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