窒化物系半導体発光素子の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸 , 藤田健 , 都祭正則 , 長谷川俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-136083
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047864
出願日： 2007年05月23日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、湿式エッチング特性を有する犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に保護層を形成して、結晶成長のための反応ガス雰囲気下で前記犠牲層を保護し、前記保護層上に形成される半導体層のエピタキシャル成長を促進させる工程と、前記保護層上に、n型半導体層、活性層及びp型半導体層を含む半導体素子を形成する工程と、前記犠牲層を湿式エッチングして、前記基板を前記半導体素子から分離及び除去する工程と、を含む窒化物系半導体発光素子の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、湿式エッチング特性を有する犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に保護層を形成して、結晶成長のための反応ガス雰囲気下で前記犠牲層を保護し、前記保護層上に形成される半導体層のエピタキシャル成長を促進させる工程と、前記保護層上に、n型半導体層、活性層及びp型半導体層を含む半導体素子を形成する工程と、前記犠牲層を湿式エッチングして、前記基板を前記半導体素子から分離及び除去する工程と、を含む、窒化物系半導体発光素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (12件)：

5F041AA03 , 5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA88 , 5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願公開第2005/0247950号明細書

審査官引用 (6件)

発光素子および発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-315102 出願人：信越半導体株式会社
GaN系基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-338444 出願人：三菱電線工業株式会社
窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-428067 出願人：さん圓光電股ふん有限公司

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