特許
J-GLOBAL ID:200903098018120556

スパツタリング装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-294332
公開番号(公開出願番号):特開平5-132769
出願日: 1991年11月11日
公開日(公表日): 1993年05月28日
要約:
【要約】【目的】 多層薄膜を形成する場合に、1層を形成するごとにターゲットを交換しなければならない問題点を解決する。【構成】 接地された真空チャンバー(1) 、真空に排気するための排気口(2) 、スパッタガスを供給するための導入口(3) 、基板ホルダー(4) 、少なくとも2個のカソード(51)、(52)、及び各カソードの電位を負に落とす電力を供給する電源(71)、(72)からなるスパッタリング装置において、電力を0.01〜50Hzの周期で変調し、かつ、少なくとも2個のカソードに供給する変調された電力の位相をずらせる変調手段(8) を設けた。
請求項(抜粋):
接地された真空チャンバー、該チャンバー内を真空に排気するための排気口、チャンバー内にスパッタガスを供給するための導入口、チャンバー内に配設された基板ホルダー、チャンバー内に配設された少なくとも2個のカソード、及び各カソードの電位を負に落とす電力を供給する電源からなるスパッタリング装置において、電力を0.01〜50Hzの周期で変調し、かつ、少なくとも2個のカソードに供給する変調された電力の位相をずらせる変調手段を設けたことを特徴とする装置。
IPC (2件):
C23C 14/34 ,  C23C 14/56

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