試料の後処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012306
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254589
出願日： 1989年08月28日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、Al系配線膜に対し、少なくともH成分を有するプラズマにて処理する工程を有し、さらに、Al系配線材料の後処理において、少なくともH成分とO成分とを有するプラズマにて処理をする工程を有し、高い防食処理とアッシング処理とを同時に行う後処理を実施することにある。【構成】アルミニウムを含む積層材料の試料(90)をハロゲンガスを用いてエッチング処理した後、H,CHあるいはCHOで構成される水素含有成分ガスと酸素成分ガスの混合ガスプラズマを用いて前記試料(90)表面上からハロゲン成分とレジスト成分を同時に除去し、防食処理することを特徴とする試料の後処理方法。

請求項（抜粋）：

基板と基板上に設けられたアルミ含有層とアルミニウム含有層上に設けられたレジスト層とからなる試料を、ハロゲン成分を含むガスプラズマによりエッチング処理し、エッチング処理されたサンプルを、エッチング処理後に残渣として残るハロゲン成分と反応する水素ラジカルとなる水素成分と酸素成分との両成分を含む混合ガスのプラズマにより防食処理することを特徴とする試料の後処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 G , H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭58-030133
特開昭63-241933
特開昭63-241933

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