特許

J-GLOBAL ID：200903098021269862

半導体基板を準備すること

発明者： スパーデンス、ポール・チャールズ ,  ソルター、マーク・アンドリュー ,  ハーロウ、マイケル・ジョン ,  ニューソン、デイビット・ジョン
出願人/特許権者： ブリテイッシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-502952
公開番号（公開出願番号）：特表平10-504685
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】インジウムリンの半導体基板(10)が用意され、続いてエピタキシャル層(12から16)が成長されて半導体デバイス(5)を形成する。用意において、半導体基板(10)は第1に熱処理されて、基板からの拡散によって不純物原子が基板表面に蓄積される傾向を促進し、かつ、基板表面から不純物原子を除去するのを促進する。次に基板(10)は表面をエッチングされ、続くエピタキシャル層の成長のためにクリーンで平らな表面を提供するようにする。用意の最終段階は、基板上に半絶縁性のバッファ層(11)を成長し、デバイスのエピタキシャル層(12から16)を基板から絶縁するようにすることを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板を用意してその次にエピタキシャル層を成長させる方法であって、該方法は、(a) 基板上又は基板内に存在する不純物原子の濃度を低減するために基板を熱処理する段階と、その次に、(b) 基板上に1又は複数のバッファ層を成長させる段階であって、該バッファ層の少なくとも1つは金属原子でドープされた半導体材料である段階とで成ることを特徴とする方法。