特許

J-GLOBAL ID：200903098030338346

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 加藤 直樹
出願人/特許権者： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-134340
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330595
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【構成】I字状のSi島1、画素電極7、ソース電極4、ドレイン電極6、及びゲート配線バス3に接続されたゲート電極2がチャネル長方向に複数備えられたトップゲート型のTFTであって、該複数のゲート電極2が、半導体チャネル層と交差しない領域であって、ゲート配線バス3に接続された領域以外で、接続部を有することを特徴とするTFT。【効果】ゲート電極2と半導体チャネル層との交差部分における断線発生による動作不良を救済する。

請求項（抜粋）：

ゲート配線バスに接続されたゲート電極が半導体チャネル層よりも上に配置され、一つの薄膜トランジスタあたりチャネル長方向に複数のゲート電極が備えられた薄膜トランジスタにおいて、該複数のゲート電極が、半導体チャネル層と交差しない領域であって、ゲート配線バスに接続された領域以外で、接続部を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 617 N ,  G02F 1/136 500