特許
J-GLOBAL ID：200903098031169122
3-5族化合物半導体とその製造方法および発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-015228
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116130
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 欠陥の少ない高品質の3-5族化合物半導体とその製造方法、及び該化合物半導体を用いた発光特性の良好な発光素子を提供する。【解決手段】 サファイア基板9の鏡面研磨C面上に基板温度550°Cで、トリメチルGaとNH3を供給しGaNのバッファ層8を形成した後、基板温度を1100°Cまで上げシランを送りSiをドープしたn型GaN層5を成長させ、さらに同温度でノンドープのGaN層4を形成した。次に基板温度を780°Cまで下げ、TEG、TMI,NH3を用いて発光層のIn0.3Ga0.7N層1を成長させ、さらに同温度でTEG,TEA及びNH3を送り保護層のGa0.8Al0.2N層2を形成した後、基板温度を1100°Cに上げMgドープしたGaN層3を成長させた。この3-5族半導体試料を炉から取出しN2中熱処理してGaN層3を低抵抗のP型層にした後、P及びn電極6,7を付けて明瞭な青色発光素子が得られた。
請求項（抜粋）：
一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体からなる第1の層と、一般式Ga<SB>x'</SB>Al<SB>y'</SB>N(ただし、x’+y’=1、0<x’≦1、0≦y’<1)で表される3-5族化合物半導体からなる第2の層と、一般式Ga<SB></SB><SB>x'' </SB>Al<SB>y'' </SB>N(ただし、x''+y''=1、0<x''≦1、0≦y''<1)で表される3-5族化合物半導体からなる第3の層とが、この順に積層してなる構造を有し、該第1の層の厚みが5Å以上90Å以下であることを特徴とする3-5族化合物半導体。
IPC (4件)：
H01L 29/43
, H01L 21/205
, H01L 21/28 301
, H01L 33/00
H01L 29/46 Z
, H01L 21/205
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 33/00 C
