特許
J-GLOBAL ID：200903098040974690
半導体集積回路配線方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-047304
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067678
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 論理変更用に備えられた未使用ゲ-トの端子から半導体集積回路チップ表面に最も近い配線層まで、上空に障害物が存在しない場所に、配線パタ-ンを引き上げる引き上げ配線パターンの配線を行う。【構成】 半導体集積回路チップの製造後に、配線の一部を修正加工して論理変更に対応する補修を行う際の加工プロセスを容易とするため、論理変更用に備えられた未使用ゲ-トの端子から半導体集積回路チップ表面に最も近い配線層まで配線パタ-ンを引き上げる引き上げ配線パターンの配線を行う。この半導体集積回路配線方法では、未使用ゲ-トの端子からの引き上げ配線パターンの配線処理は、当該引き上げ配線パターンの配線が上空に加工障害物の無い場所となる位置を選択して配線パタ-ンの引き上げ配線を行う。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路チップの製造後に、配線の一部を修正加工して論理変更に対応する補修を行う際の加工プロセスを容易とするため、論理変更用に備えられた未使用ゲ-トの端子から半導体集積回路チップ表面に最も近い論理信号配線層まで配線パタ-ンを引き上げる引き上げ配線パターンの配線を行う半導体集積回路配線方法であって、未使用ゲ-トの端子からの引き上げ配線パターンの配線処理は、当該引き上げ配線パターンの配線が上空に加工障害物の無い場所となる位置を選択して配線パタ-ンの引き上げ配線を行うことを特徴とする半導体集積回路配線方法。
IPC (2件)：
H01L 21/82
, H01L 21/3205
H01L 21/82 W
, H01L 21/88 A
