特許
J-GLOBAL ID：200903098045580690
短波長光発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034369
公開番号（公開出願番号）：特開平7-244307
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 光ディスクの高密度記録や画像処理等で要求されている光損傷に対して強く小型で且つ安定高効率な短波長光を提供する短波長光発生装置を実現する。【構成】 半導体レーザー1から出射された光がLiTaO3基板5上に光導波路6と周期的な分極反転領域7を有する波長変換素子により波長変換される。この際、波長変換素子の屈折率が光損傷により変化し、得られる高調波出力が不安定になる。紫外線ランプ11により波長変換素子を照射することで波長変換素子の耐光損傷性は向上し、高出力発生可能な短波長光発生装置が実現できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも半導体レーザーと波長変換素子を有し、前記波長変換素子にピーク波長が550nm以下の光が照射されていることを特徴とする短波長光発生装置。
引用特許：
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