特許
J-GLOBAL ID：200903098045739010
マイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-157585
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014786
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【構成】 マイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成方法で、周波数500Hz乃至2MHzの範囲の交流成分を有しかつ基体に対して電圧の平均値が正である電圧を基体に印加する。【効果】 大面積で速い堆積速度においても、光学的および電気的諸特性に優れかつ画像欠陥等の少ない堆積膜を定常的に安定して歩留り良く形成することができる。
請求項（抜粋）：
マイクロ波導入手段を備え実質的に密封された成膜室に、放電空間を取り囲むように複数の基体を配置して、原料ガスに由来する反応ガス物質を含むグロー放電プラズマを前記放電空間内に形成し、その際前記放電空間内に設けられた電極を介して前記基体に対して電圧を印加し、前記基体上に堆積膜を形成する方法において、前記印加する電圧が周波数500Hz乃至2MHzの範囲の交流成分を有しかつ前記基体に対して電圧の平均値が正であることを特徴とするマイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成方法。
IPC (2件)：
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