半導体素子の処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-201325
公開番号（公開出願番号）：特開平9-031669
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：

【要約】【課題】半導体素子のメッキの前処理工程を簡単化することにより、設備や作業コストを低下させることができるような処理装置を提供する。【解決手段】一部が樹脂モールドで覆われたリードフレーム1を保持する保持台2と、この保持台2に対向して配置され、保持台2上のリードフレーム1に向けてエッチング液3を噴射する噴射ノズル4とを有し、エッチングと同時に噴射の運動エネルギーによってバリ取りを行なう。

請求項（抜粋）：

一部が樹脂モールドで覆われたリードフレームを保持する保持台と、この保持台に対向して配置され、上記保持台上のリードフレームに向けてエッチング液を噴射する噴射ノズルとを有し、エッチングと同時に噴射の運動エネルギーによってバリ取りを行なうことを特徴とする半導体素子の処理装置。

IPC (3件)：

C23F 1/08 103 , C23F 1/16 , H01L 23/50

FI (3件)：

C23F 1/08 103 , C23F 1/16 , H01L 23/50 A

引用特許：

審査官引用 (16件)

リードフレームの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-080541 出願人：新光電気工業株式会社
特開平4-045549
特開平4-045549

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