特許

J-GLOBAL ID：200903098049604381

2μm帯半導体レーザ

発明者： 仁道 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-090770
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288586
出願日： 1995年04月17日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 発振しきい値及び動作電流が低く、温度特性に優れ長期信頼性に優れた2μm帯半導体レーザを提供することにある。【構成】 n型InP基板1上のn型InAlAsクラッド層2と、層厚200nm/波長1.4μm組成のn型InAlGaAs光閉じ込め層3と、層厚2nmのInAs歪量子井戸層(2.5%圧縮歪)4と層厚10nm/波長1.4μm組成のInAlGaAsバリア層5とを交互に2周期積層した多重量子井戸活性層と、層厚200nm/波長1.4μm組成のp型InAlGaAs光閉じ込め層6と、p型InAlAsクラッド層7と、p型InGaAsキャップ層8と、p電極9と、n電極10とからなる。

請求項（抜粋）：

InP基板上に、活性層に歪量子井戸を用い発振波長が1.8〜2.1μmとなる2μm帯半導体レーザにおいて、量子井戸層をInAs、バリア層をバンドギャップ波長が1.3〜1.5μmとなるInAlGaAsを用いたことを特徴とする2μm帯半導体レーザ。