特許

J-GLOBAL ID：200903098050192747

半導体圧力センサの製造方法

発明者： 中村 哲郎 ,  石田 誠 ,  川人 祥二 ,  疋田 靖二
出願人/特許権者： 東横化学株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 仁義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-222735
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181332
出願日： 1990年10月11日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】温度特性に優れ、しかもダイヤフラムの厚さを所望の一定の厚さとした圧力センサの製法を提供する。【構成】シリコン単結晶ウエハー上に第1の単結晶Al2O3をエピタキシャル成長させ、ついでその上面に第1のSiをエピタキシャル成長させ、更にその上面に第2の単結晶Al2O3と第2のSiとを順次エピタキシャル成長させ、感圧部の絶縁層に絶縁性を有するエッチングストップ層を形成した。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶ウエハー上に第1の単結晶Al2O3をエピタキシャル成長させ、ついでその上面に第1のSiをエピタキシャル成長させ、更にその上面に第2の単結晶Al2O3と第2のSiとを順次エピタキシャル成長させることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭52-055878
  
• 特開昭62-054477