りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシヤルウエハ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142137
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315210
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】電子写真方式のプリンターであるLEDプリンターの光源に用いるLEDアレイの製造に適したGaAsPエピタキシヤルウエハを提供する。【構成】基板として表面の面方位が(100)面から特定の[110]方向へ傾けた面であるIII -V族化合物単結晶基板を用いて、クロスハッチの一方を直線状としたGaAsPエピタキシヤルウエハ。

請求項（抜粋）：

閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する周期律表第III b族元素及び第Vb族元素からなる化合物の単結晶基板及び該基板上に形成されたりん化ひ化ガリウム混晶エピタキシヤル膜を含むりん化ひ化ガリウム混晶エピタキシヤルウエハにおいて、単結晶基板の表面の面方位として、下記に示す群に含まれる面方位の内1つの面方位を有し、上記エピタキシヤル膜の表面のクロスハッチの少なくとも一方が直線状であることを特徴とするエピタキシヤルウエハ。?@(001)面から[110]方向または[-1-10]方向へ、偏位角度0.5〜10°偏位した面。?A(00-1)面から[1-10]方向または[-110]方向へ、偏位角度0.5〜10°偏位した面。?B(100)面から[011]方向または[0-1-1]方向へ、偏位角度0.5〜10°偏位した面。?C(-100)面から[01-1]方向または[0-11]方向へ、偏位角度0.5〜10°偏位した面。?D(010)面から[101]方向または[-10-1]方向へ、偏位角度0.5〜10°偏位した面。?E(0-10)面から[10-1]方向または[-101]方向へ、偏位角度0.5〜10°偏位した面。

IPC (6件)：

H01L 21/02 , C30B 25/02 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-226918
特開昭63-226918

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