特許

J-GLOBAL ID：200903098053582716

薄膜ガスセンサ

発明者： 国原 健二 ,  小林 光男 ,  松原 健 ,  鈴木 卓弥 ,  荻野 慎次
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-085481
公開番号（公開出願番号）：特開2003-279523
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】長期間のパルス通電によっても抵抗値の変動や導通不良の生じない安定性の高い薄膜ガスセンサを提供する。【解決手段】貫通孔を有するSi基板1 と、この貫通孔の開口部に張られた少なくとも第1の絶縁膜からなるダイアフラム2 と、このダイアフラム上に、少なくともヒーター3 および両端にPtからなる電極5 を有するSnO2などからなるガス感知膜6 とがSiO2などからなる第2の絶縁膜4 によって互いに絶縁されるように形成された薄膜ガスセンサにおいて、前記電極の第2の絶縁膜側にはTa、 Cr、 Tiの内の少なくとも1を主成分とする材料からなる層を介在させる。

請求項（抜粋）：

貫通孔を有するSi基板と、この貫通孔の開口部に張られた少なくとも第1の絶縁膜からなるダイアフラムと、このダイアフラム上に、少なくともヒーターおよび両端にPtからなる感知膜電極を有するSnO2などからなるガス感知膜とがSiO2などからなる第2の絶縁膜によって互いに絶縁されるように形成された薄膜ガスセンサにおいて、前記感知膜電極はTa、 Cr、 Tiの内の少なくとも1つのを主成分とする材料からなる第1の中間層を前記ガス感知膜側に有することを特徴とする薄膜ガスセンサ。

FI (3件)：

G01N 27/12 C ,  G01N 27/12 A ,  G01N 27/12 B

Fターム (21件)：

2G046AA02 ,  2G046BA01 ,  2G046BA04 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BB06 ,  2G046BB08 ,  2G046BC04 ,  2G046BC05 ,  2G046BE03 ,  2G046DD03 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA07 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046EA11 ,  2G046FB02 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39